AMD于2月27日宣布，在合作伙伴IBM的幫助下，他們已經(jīng)取得了45nm制造工藝的關(guān)鍵性突破，為進(jìn)軍16nm技術(shù)乃至更小尺寸工藝奠定了堅實基礎(chǔ)。

AMD和IBM成功使用全場(Full-Field)極端遠(yuǎn)紫外線(EUV)平版印刷術(shù)制造了一顆45nm工藝試驗性芯片，尺寸22×33毫米。此前使用EUV技術(shù)生產(chǎn)的芯片部件都是“窄場”(Narrow-Field)的，只設(shè)計整個芯片的一部分，而AMD和IBM將其延伸到了芯片上的全部區(qū)域，整個第一層金屬互聯(lián)層都使用了這種技術(shù)。

AMD是在德國德累斯頓Fab 36晶圓廠使用193nm沉浸平版印刷術(shù)制造這顆芯片的，隨后將其運往IBM在紐約首府奧爾巴尼納米科學(xué)與工程學(xué)院的研究工廠，使用荷蘭光刻設(shè)備供應(yīng)商ASML Holding NV的一臺13.5nm EUV平版印刷掃描儀蝕刻了芯片晶體管之間的第一層金屬互聯(lián)層，最終完成了這顆芯片。

AMD稱，試驗芯片內(nèi)部晶體管的“特性與只使用193nm沉浸平版印刷術(shù)制造的芯片完全一致”。

最近二十年來，業(yè)界一直認(rèn)為EUV平版印刷術(shù)是最有希望的下一代微芯片生產(chǎn)工藝。早在1997年，Intel、AMD、摩托羅拉就聯(lián)合成立了一家名為“EUV Limited Liability Corporation”的公司，試圖在100nm工藝水平上取代深紫外線(DUV)，但后者近來不斷進(jìn)步，已經(jīng)可以在45nm工藝上大規(guī)模量產(chǎn)了，并普遍被認(rèn)為能延續(xù)到22nm。

當(dāng)然，DUV技術(shù)早晚都會走到盡頭，向EUV的轉(zhuǎn)換可能會出現(xiàn)在16nm工藝上，時間大概是2013年左右

AMD稱，要想將EUV平版印刷術(shù)投入實際生產(chǎn)，必須將這種技術(shù)擴(kuò)展到整個微處理器的所有關(guān)鍵層上，而不僅限于金屬互聯(lián)層。AMD認(rèn)為，EUV平版印刷術(shù)必須在2016年之前獲得投產(chǎn)認(rèn)證，因為屆時將到達(dá)22nm工藝極限。